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• 碘化铋铯(CBI)和掺杂碘化钾的碘化铋铯(CBIK)薄膜以及原料BiI₃、CsI和KI粉末的XRD图谱
• CBI (a)和CBIK (b)薄膜的俯视SEM图像
• (a) CBI和CBIK薄膜的紫外-可见光吸收光谱；(b) CBI薄膜和CBIK薄膜的光学吸收带隙图；(c) CBI和CBIK薄膜的PL光谱
• 器件结构为氧化铟锡导电玻璃(ITO)/酞菁铜(CuPc) (50 nm)/CBIK (300 nm)/C60 (150 nm)/Al薄膜太阳能电池的电流密度-电压(J-V)曲线(a)、器件照片(b)以及显微镜下器件表面(c)
• (a)模拟器件的结构示意图；(b)模拟器件的能级图
• 活性层Cs₃Bi₂I₉的厚度对J-V曲线(a)、开路电压(V_OC)、短路电流(J_SC)、填充因子(FF)和功率转换效率(PCE) (b)以及量子效率(c)的影响
• 空穴传输层CuPc的厚度对J-V曲线(a)、V_OC、J_SC、FF和PCE (b)以及量子效率的影响(c)
• 电子传输层C60的厚度对J-V曲线(a)、V_OC、J_SC、FF和PCE (b)以及量子效率的影响(c)
• Cs₃Bi₂I₉层(a)、CuPc/Cs₃Bi₂I₉界面(b)、Cs₃Bi₂I₉/C60界面(c)的缺陷密度对器件性能的影响
• Cs₃Bi₂I₉层供体掺杂对V_OC、J_SC、FF和PCE (a)、生成率(b)、复合率(c)、电子密度(d)、空穴密度(e)以及总载流子密度(f)的影响
• 不同空穴传输层与电子传输层对J-V曲线(a)、V_OC、J_SC、FF和PCE (b)、量子效率(c)、复合率(d)、生成率(e)以及总载流子密度(f)的影响