
GO@P-g-C3N4-80%在3次循环过程中的E. coli和S. aureus菌落琼脂平板照片
本文全文图片
-
块状g-C3N4 (B-g-C3N4 ) (a)、质子化石墨相氮化碳(P-g-C3N4) (c)、氧化石墨烯(GO) (e)和 GO@P-g-C3N4 (g)的SEM图像;B-g-C3N4 (b)、P-g-C3N4 (d)、GO (f)和GO@P-g-C3N4 (h)的TEM图像;(i) GO@P-g-C3N4的EDX元素分布图
-
GO、B-g-C3N4、P-g-C3N4和GO@P-g-C3N4的XRD图谱
-
(a) P-g-C3N4、GO和GO@P-g-C3N4的XPS全谱图;GO (b)和P-g-C3N4 (c)的O1s高分辨率XPS图谱;GO (d)、P-g-C3N4 (e)和GO@P-g-C3N4 (f)的C1s高分辨率XPS图谱;P-g-C3N4 (g)和GO@P-g-C3N4 (h)的N1s高分辨率XPS图谱;(i) B-g-C3N4、P-g-C3N4、GO和GO@P-g-C3N4的Raman图谱
-
P-g-C3N4和GO@P-g-C3N4的N2吸附-解吸等温线(a)及孔径分布图(b)
-
P-g-C3N4和GO@P-g-C3N4的UV-Vis DRS (a)及对应的 Kubelka-Munk曲线(b)
-
P-g-C3N4和GO@P-g-C3N4的光致发光谱图
-
P-g-C3N4和GO@P-g-C3N4的光电流-时间曲线
-
对照组和不同光催化剂对E. coli和S. aureus的光催化抑菌率
-
不同光催化剂作用下E. coli和S. aureus菌落琼脂平板照片
-
不同质量比GO@P-g-C3N4对E. coli和S. aureus的光催化抑菌率
-
不同质量比GO@P-g-C3N4作用下E. coli和S. aureus菌落琼脂平板照片
-
GO@P-g-C3N4-80%在不同光照时间下对E. coli和S. aureus的光催化抑菌率
-
GO@P-g-C3N4-80%在不同光照时间下的E. coli和S. aureus菌落琼脂平板照片
-
GO@P-g-C3N4-80%在3次循环过程中对E. coli和S. aureus的光催化抑菌率
-
GO@P-g-C3N4-80%在3次循环过程中的E. coli和S. aureus菌落琼脂平板照片
-
GO@P-g-C3N4-80%三次循环后的XRD图谱
-
S. aureus ((a)~(d))和E. coli ((a*)~(d*))在GO@P-g-C3N4-80%的催化下分别照射不同时间后的SEM图像
-
P-g-C3N4和GO@P-g-C3N4在黑暗条件下(a)和光照5 min后(b)的DMPO-•O−2 ESR谱;GO@P-g-C3N4在黑暗条件下和光照5 min后的DMPO-•OH ESR谱(c) 和TEMPO-e− ESR谱(d)
-
GO@P-g-C3N4在可见光照射下的抗菌示意图