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V5+-Sr2+共掺杂对TiO2基压敏陶瓷性能的影响

陈俊宇 严继康 甘国友

陈俊宇, 严继康, 甘国友. V5+-Sr2+共掺杂对TiO2基压敏陶瓷性能的影响[J]. 复合材料学报, 2017, 34(5): 1048-1053. doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20170222.003
引用本文: 陈俊宇, 严继康, 甘国友. V5+-Sr2+共掺杂对TiO2基压敏陶瓷性能的影响[J]. 复合材料学报, 2017, 34(5): 1048-1053. doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20170222.003
CHEN Junyu, YAN Jikang, GAN Guoyou. Effect of V5+-Sr2+ co-doping on properties of TiO2 varistors ceramics[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2017, 34(5): 1048-1053. doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20170222.003
Citation: CHEN Junyu, YAN Jikang, GAN Guoyou. Effect of V5+-Sr2+ co-doping on properties of TiO2 varistors ceramics[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2017, 34(5): 1048-1053. doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20170222.003

V5+-Sr2+共掺杂对TiO2基压敏陶瓷性能的影响

doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20170222.003
基金项目: 国家自然科学基金(51362017;51262017);稀贵金属先进材料协同创新中心协同创新基金(14051708)
详细信息
    通讯作者:

    严继康,副教授 E-mail:scyjk@sina.com

  • 中图分类号: TN379

Effect of V5+-Sr2+ co-doping on properties of TiO2 varistors ceramics

  • 摘要: 研究了V5+-Sr2+共掺杂对TiO2基压敏陶瓷电学性能的影响。采用固相烧结方法制备V5+-Sr2+共掺杂TiO2样品。利用XRD衍射仪检测物相和SEM测定显微结构。用压敏电阻直流参数仪测定V5+-Sr2+共掺杂TiO2样品在不同烧结温度和掺杂量下的电学性能。结果表明:掺杂0.35 mol%的V2O5,XRD衍射仪没有检测到第二相的产生。随着SrCO3掺杂量以及烧结温度的增加,样品压敏电压和非线性系数都有不同的变化趋势。当烧结温度为1 300℃、Sr2+掺杂量为0.5 mol%时,样品的各项电学性能最优:V5+-Sr2+共掺杂TiO2样品压敏电压达到16.3 V/mm,非线性系数α达到5.6。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2016-12-05
  • 修回日期:  2017-02-14
  • 刊出日期:  2017-05-15

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