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自支撑多孔硅/ZnO复合材料的制备及其超级电容特性

邢正伟 沈鸿烈 唐群涛 姚函妤 杨楠楠

邢正伟, 沈鸿烈, 唐群涛, 等. 自支撑多孔硅/ZnO复合材料的制备及其超级电容特性[J]. 复合材料学报, 2016, 33(9): 2082-2087. doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20151216.002
引用本文: 邢正伟, 沈鸿烈, 唐群涛, 等. 自支撑多孔硅/ZnO复合材料的制备及其超级电容特性[J]. 复合材料学报, 2016, 33(9): 2082-2087. doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20151216.002
XING Zhengwei, SHEN Honglie, TANG Quntao, et al. Preparation of freestanding porous silicon/ZnO composites and its supercapacitor property[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2016, 33(9): 2082-2087. doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20151216.002
Citation: XING Zhengwei, SHEN Honglie, TANG Quntao, et al. Preparation of freestanding porous silicon/ZnO composites and its supercapacitor property[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2016, 33(9): 2082-2087. doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20151216.002

自支撑多孔硅/ZnO复合材料的制备及其超级电容特性

doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20151216.002
基金项目: 国家自然科学基金(61176062);中央高校基本科研业务费专项资金(3082015NJ20150024);江苏省前瞻性联合创新项目(BY2013003-08);江苏高校优势学科建设工程
详细信息
    通讯作者:

    沈鸿烈, 博士, 教授, 博士生导师, 研究方向为光电薄膜材料及器件。 E-mail: hlshen@nuaa.edu.cn

  • 中图分类号: TB332

Preparation of freestanding porous silicon/ZnO composites and its supercapacitor property

  • 摘要: 首先利用二步阳极氧化法制备了自支撑多孔硅,再利用真空抽滤法在自支撑多孔硅中沉积ZnO纳米籽晶层,最后用水热合成法使ZnO纳米籽晶进一步长大。采用扫描电子显微镜、X射线能谱分析和光致发光谱分析对样品的形貌、元素及发光性能进行了表征。结果表明:自支撑多孔硅内部成功填充了ZnO纳米颗粒并形成了自支撑多孔硅/ZnO复合材料。将这种复合材料作为超级电容器电极进行了电化学测试,包括循环伏安、阻抗谱和恒电流充放电测试,该复合材料有较好的超级电容特性,比容量可达到15.7 F/g,相比于自支撑多孔硅提高120倍。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2015-08-16
  • 修回日期:  2015-11-25
  • 刊出日期:  2016-09-15

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