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退火对CdS/SiO2介孔组装体系吸收边的影响

杨一军 阚彩侠 毕会娟 张立德

杨一军, 阚彩侠, 毕会娟, 等. 退火对CdS/SiO2介孔组装体系吸收边的影响[J]. 复合材料学报, 2003, 20(2): 47-52.
引用本文: 杨一军, 阚彩侠, 毕会娟, 等. 退火对CdS/SiO2介孔组装体系吸收边的影响[J]. 复合材料学报, 2003, 20(2): 47-52.
YANG Yijun, KAN Caixia, BI Huijuan, et al. ANNEALING EFFECT ON THE ABSORPTION EDGE OF CdS/SiO2 MESOPOROUS ASSEMBLY[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2003, 20(2): 47-52.
Citation: YANG Yijun, KAN Caixia, BI Huijuan, et al. ANNEALING EFFECT ON THE ABSORPTION EDGE OF CdS/SiO2 MESOPOROUS ASSEMBLY[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2003, 20(2): 47-52.

退火对CdS/SiO2介孔组装体系吸收边的影响

基金项目: 安徽省教育厅自然科学研究项目(批准号:2001kj201ZC)
详细信息
    作者简介:

    杨一军(1956-),男,副教授,研究方向:凝聚态物理。

    通讯作者:

    杨一军,E-mail: yangyijun@hbcnc.edu.cn

  • 中图分类号: TB383

ANNEALING EFFECT ON THE ABSORPTION EDGE OF CdS/SiO2 MESOPOROUS ASSEMBLY

  • 摘要: 本文作者通过溶胶-凝胶法获得块材CdS纳米颗粒/介孔SiO2组装体系(CdS/SiO2)块体样品,室温下的拉曼谱中观察到CdS的两个特征峰;在氮气和空气气氛中退火处理后,发现吸收边位置随复合量和退火温度不同而移动。经计算,CdS颗粒粒径的理论值与其自由激子半径相当,说明吸收边的移动起因于量子限域效应。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2002-04-03
  • 修回日期:  2002-06-24
  • 刊出日期:  2003-04-15

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