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SiC(N)/LAS纳米陶瓷复合材料的介电特性

罗发 周万城 焦桓 赵东林

罗发, 周万城, 焦桓, 等. SiC(N)/LAS纳米陶瓷复合材料的介电特性[J]. 复合材料学报, 2003, 20(3): 98-101.
引用本文: 罗发, 周万城, 焦桓, 等. SiC(N)/LAS纳米陶瓷复合材料的介电特性[J]. 复合材料学报, 2003, 20(3): 98-101.
LUO Fa, ZHOU Wancheng, JIAO Huan, et al. DIELECTRIC PROPERTIES OF SiC(N)/LAS NANO-COMPOSITE[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2003, 20(3): 98-101.
Citation: LUO Fa, ZHOU Wancheng, JIAO Huan, et al. DIELECTRIC PROPERTIES OF SiC(N)/LAS NANO-COMPOSITE[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2003, 20(3): 98-101.

SiC(N)/LAS纳米陶瓷复合材料的介电特性

基金项目: 航空基金资助项目(99G53082)
详细信息
    通讯作者:

    周万城, E-mail: wczhou@nwpu.edu.cn

  • 中图分类号: TB332; TM25

DIELECTRIC PROPERTIES OF SiC(N)/LAS NANO-COMPOSITE

  • 摘要: 采用LAS玻璃粉末和激光诱导法制备的纳米SiC(N)粉体,通过热压烧结法制备了SiC(N)/LAS纳米陶瓷复合材料,研究了该复合材料在8.2~12.4GHz频率范围内的微波介电特性。结果表明,SiC(N)/LAS的介电常数主要受纳米SiC(N)粉体含量的控制,此外还与烧结温度有关。随着烧结温度的提高,复合材料介电常数和介电损耗均随之增大。SiC(N)/LAS对电磁波的损耗作用明显优于同体积分数的纳米SiC(N)与石蜡混合体,这与烧结过程中形成的碳界面有关。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2001-12-12
  • 修回日期:  2002-04-01
  • 刊出日期:  2003-06-15

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