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采用聚硅氧烷SR355与纳米Ni粉混合物连接无压烧结SiC陶瓷

采用聚硅氧烷SR355与纳米Ni粉混合物连接无压烧结SiC陶瓷[J]. 复合材料学报, 2008, 25(6): 72-76.
引用本文: 采用聚硅氧烷SR355与纳米Ni粉混合物连接无压烧结SiC陶瓷[J]. 复合材料学报, 2008, 25(6): 72-76.
Joining of pressureless sintered SiC using polysiloxane SR355 with active additive Ni nanopowder[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2008, 25(6): 72-76.
Citation: Joining of pressureless sintered SiC using polysiloxane SR355 with active additive Ni nanopowder[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2008, 25(6): 72-76.

采用聚硅氧烷SR355与纳米Ni粉混合物连接无压烧结SiC陶瓷

基金项目: 国家自然科学基金(50271003)
详细信息
  • 中图分类号: TB332

Joining of pressureless sintered SiC using polysiloxane SR355 with active additive Ni nanopowder

  • 摘要: 无压烧结SiC陶瓷(SSiC)是重要的高温结构材料,连接技术是扩大其应用范围的关键技术之一。将活性填料纳米Ni粉添加到聚硅氧烷SR355中制成连接材料,通过反应成形连接工艺连接SSiC。研究了纳米Ni粉对SR355的裂解过程和陶瓷产率的影响,同时也研究了填料含量和连接温度对连接件强度的影响。结果表明, 纳米Ni粉的加入促进了SR355的裂解并提高了其陶瓷产率。当纳米Ni粉含量为1%(质量分数)、连接温度为1050℃时,连接件经3次浸渍增强处理后的连接强度达到最大值。微观结构研究表明,连接层均匀致密,且与母材间界面结合良好,界面处发生了元素的扩散,纳米Ni粉在连接过程中参与了化学反应并促进了界面结合。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2008-03-06
  • 修回日期:  2008-06-26
  • 刊出日期:  2008-12-15

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