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放电等离子烧结制备高导热SiCP/Al 电子封装材料

放电等离子烧结制备高导热SiCP/Al 电子封装材料[J]. 复合材料学报, 2010, 27(1): 57-61.
引用本文: 放电等离子烧结制备高导热SiCP/Al 电子封装材料[J]. 复合材料学报, 2010, 27(1): 57-61.
High thermal conductivity SiCP/Al electronic packaging materials prepared by spark plasma sintering[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2010, 27(1): 57-61.
Citation: High thermal conductivity SiCP/Al electronic packaging materials prepared by spark plasma sintering[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2010, 27(1): 57-61.

放电等离子烧结制备高导热SiCP/Al 电子封装材料

详细信息
  • 中图分类号: TB333 

High thermal conductivity SiCP/Al electronic packaging materials prepared by spark plasma sintering

  • 摘要: 为了满足电子封装材料越来越高的性能要求,采用放电等离子烧结(SPS) 工艺制备了SiCP/Al 复合材料。研究了烧结温度和保温时间等工艺条件对SiCP/Al复合材料组织形貌和性能的影响。结果表明:采用SPS烧结,温度为700℃、保温时间为5 min 时,所制备的 70 vol %SiCP/Al复合材料热导率达到195. 5 W (m ·K)-1,与传统 15 %W2Cu合金相当,是Kovar合金的10倍,但密度小,仅为 3. 0 g·cm-3;其热膨胀系数为6. 8 ×10-6 K-1,与基板材料热膨胀系数接近;抗弯强度为410 MPa,抗拉强度为190 MPa,达到了电子封装材料对热学性能和力学性能的要求。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2009-02-15
  • 修回日期:  2009-05-27
  • 刊出日期:  2010-02-15

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