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Ti-Al层状复合材料相界面扩散反应层的电子结构

韩朝辉 周生刚 竺培显 郭佳鑫

韩朝辉, 周生刚, 竺培显, 等. Ti-Al层状复合材料相界面扩散反应层的电子结构[J]. 复合材料学报, 2014, 31(5): 1350-1356.
引用本文: 韩朝辉, 周生刚, 竺培显, 等. Ti-Al层状复合材料相界面扩散反应层的电子结构[J]. 复合材料学报, 2014, 31(5): 1350-1356.
HAN Zhaohui, ZHOU Shenggang, ZHU Peixian, et al. Electronic structure of phase interface diffusion reaction layer of Ti-Al laminar composites[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2014, 31(5): 1350-1356.
Citation: HAN Zhaohui, ZHOU Shenggang, ZHU Peixian, et al. Electronic structure of phase interface diffusion reaction layer of Ti-Al laminar composites[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2014, 31(5): 1350-1356.

Ti-Al层状复合材料相界面扩散反应层的电子结构

基金项目: 国家自然科学基金(51264025,51201080,51074082);国家"863"计划(2009AA03Z512)
详细信息
    通讯作者:

    竺培显,学士,教授,研究方向为金属基复合材料。E-mail:zhu_pei_xian@163.com

  • 中图分类号: TB331

Electronic structure of phase interface diffusion reaction layer of Ti-Al laminar composites

  • 摘要: 采用热压扩散焊接法制备Ti-Al层状复合材料,在不同的焊接温度条件下进行热压扩散焊接,利用SEM、EDS、XRD以及基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理模拟计算等分析测试手段研究了Ti-Al扩散偶的扩散反应层的反应产物以及电子结构特征。结果表明: 当焊接温度≥560 ℃时,Ti-Al扩散偶相界面扩散反应层的反应产物主要是以金属间化合物Al3Ti为主,反应产物Al3Ti的总态密度(TDOS)的赝能隙为2.8 eV,相邻的Al原子和Ti原子的局域态密度(PDOS)的赝能隙也为2.8 eV,金属间化合物Al3Ti中所含的共价键较少,而金属键较多。因此,Al3Ti表现出更多的金属特性,具有较好的导电性,为Ti-Al层状复合材料作为一种新型电极材料奠定了基础。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2013-09-18
  • 修回日期:  2013-11-27
  • 刊出日期:  2014-10-15

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