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钴纳米线填充(12,0)硼氮纳米管的电子结构与磁性

解忧 霍义萍 张涛 赵省贵 张建民

解忧, 霍义萍, 张涛, 等. 钴纳米线填充(12,0)硼氮纳米管的电子结构与磁性[J]. 复合材料学报, 2014, 31(1): 118-124.
引用本文: 解忧, 霍义萍, 张涛, 等. 钴纳米线填充(12,0)硼氮纳米管的电子结构与磁性[J]. 复合材料学报, 2014, 31(1): 118-124.
XIE You, HUO Yiping, ZHANG Tao, et al. Electronic structures and magnetic properties of Co nanowire encapsulated in (12, 0) boron nitride nanotube[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2014, 31(1): 118-124.
Citation: XIE You, HUO Yiping, ZHANG Tao, et al. Electronic structures and magnetic properties of Co nanowire encapsulated in (12, 0) boron nitride nanotube[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2014, 31(1): 118-124.

钴纳米线填充(12,0)硼氮纳米管的电子结构与磁性

基金项目: 国家自然科学基金(61201088,51071098);陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2013JM8004,2011JQ1014);陕西省教育厅科研计划项目(12JK0454,2010JK673);西安科技大学博士科研启动基金(2013QDJ002)
详细信息
    通讯作者:

    解忧,博士,副教授,研究方向为低维纳米材料物性。E-mail:xieyou@xust.edu.cn

  • 中图分类号: TB333

Electronic structures and magnetic properties of Co nanowire encapsulated in (12, 0) boron nitride nanotube

  • 摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了密排六方结构的Co10纳米线填充(12,0)硼氮纳米管(BNNT)的结构稳定性、电子性质和磁性质。完全弛豫后的Co10/BNNT(12,0)复合体系,外围的BNNT沿着Co10纳米线的三重旋转对称轴变成了近似正三角形的结构。复合体系Co10/BNNT(12,0)的形成是自发地放热过程。电荷由Co10纳米线转移到BNNT上。Co10纳米线最外层的Co原子与其近邻的N原子形成的Co-N键具有极性共价键特征。Co10纳米线封装入BNNT后,其平均磁矩有所减小,但相对于纯BNNT,Co10/BNNT(12,0)体系具有较大的磁矩值。同时复合体系Co10/BNNT(12,0)表现出明显的半金属特征。因此这种稳定的纳米复合体系在高密度磁数据记录设备及自旋电子学器件等方面具有重要的应用价值。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2013-02-05
  • 修回日期:  2013-06-26
  • 刊出日期:  2014-02-15

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