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低损耗ZrTi2O6填充PTFE复合基板性能

吴开拓 袁颖 张树人 闫翔宇 崔毓仁

吴开拓, 袁颖, 张树人, 等. 低损耗ZrTi2O6填充PTFE复合基板性能[J]. 复合材料学报, 2013, 30(6): 76-81.
引用本文: 吴开拓, 袁颖, 张树人, 等. 低损耗ZrTi2O6填充PTFE复合基板性能[J]. 复合材料学报, 2013, 30(6): 76-81.
WU Kaituo, YUAN Ying, ZHANG Shuren, et al. Properties of low loss ZrTi2O6 filled PTFE composite substrates[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2013, 30(6): 76-81.
Citation: WU Kaituo, YUAN Ying, ZHANG Shuren, et al. Properties of low loss ZrTi2O6 filled PTFE composite substrates[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2013, 30(6): 76-81.

低损耗ZrTi2O6填充PTFE复合基板性能

基金项目: 中央高校基本科研业务费专项资金(ZYGX2012J035)
详细信息
    通讯作者:

    袁颖,博士,副教授,主要从事电子陶瓷与无器件研究 E-mail:yingyuan@uestc.edu.cn

  • 中图分类号: TB332

Properties of low loss ZrTi2O6 filled PTFE composite substrates

  • 摘要: 采用热压成型工艺,制备了一种低损耗ZrTi2O6陶瓷填充聚四氟乙烯(PTFE)的新型微波复合基板材料。采用介质谐振器法研究了ZrTi2O6/PTFE复合材料的微波介电性能(8~12 GHz)。结果表明,ZrTi2O6/PTFE复合材料的相对介电常数(ε r)和介电损耗(tanδ)随着ZrTi2O6陶瓷体积分数(0~46%)的增加而增大,介电常数实验值与Lichtenecker模型预测值最吻合。ZrTi2O6/PTFE复合材料的热膨胀系数和介电常数温度系数随着ZrTi2O6陶瓷体积分数的增加而减小。46%的ZrTi2O6为较优填料比例,ZrTi2O6/PTFE的相对介电常数为7.42,介电损耗为0.0022(10 GHz)。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2012-12-25
  • 修回日期:  2013-07-17
  • 刊出日期:  2013-12-15

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