射频磁控溅射钛镀层与陶瓷界面的X射线光电子能谱研究

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射频磁控溅射钛镀层与陶瓷界面的X射线光电子能谱研究

张汉林, 刘韩星, 王典芬, 欧阳世翕, 袁润章, 任海兰

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张汉林, 刘韩星, 王典芬, 等. 射频磁控溅射钛镀层与陶瓷界面的X射线光电子能谱研究[J]. 复合材料学报, 1997, 14(2): 41-44.

引用本文:

张汉林, 刘韩星, 王典芬, 等. 射频磁控溅射钛镀层与陶瓷界面的X射线光电子能谱研究[J]. 复合材料学报, 1997, 14(2): 41-44.

Zhang Hanlin, Liu Hanxing, Wang Dianfen, et al. XPS STUDY ON THE INTERFACIAL STRUCTURE OF RF MAGNETRON SPUTTERED TITANIUM COATINGS AND CERAMICS[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 1997, 14(2): 41-44.

Citation:

Zhang Hanlin, Liu Hanxing, Wang Dianfen, et al. XPS STUDY ON THE INTERFACIAL STRUCTURE OF RF MAGNETRON SPUTTERED TITANIUM COATINGS AND CERAMICS[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 1997, 14(2): 41-44.

张汉林, 刘韩星, 王典芬, 等. 射频磁控溅射钛镀层与陶瓷界面的X射线光电子能谱研究[J]. 复合材料学报, 1997, 14(2): 41-44.

引用本文:

张汉林, 刘韩星, 王典芬, 等. 射频磁控溅射钛镀层与陶瓷界面的X射线光电子能谱研究[J]. 复合材料学报, 1997, 14(2): 41-44.

Zhang Hanlin, Liu Hanxing, Wang Dianfen, et al. XPS STUDY ON THE INTERFACIAL STRUCTURE OF RF MAGNETRON SPUTTERED TITANIUM COATINGS AND CERAMICS[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 1997, 14(2): 41-44.

Citation:

Zhang Hanlin, Liu Hanxing, Wang Dianfen, et al. XPS STUDY ON THE INTERFACIAL STRUCTURE OF RF MAGNETRON SPUTTERED TITANIUM COATINGS AND CERAMICS[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 1997, 14(2): 41-44.

射频磁控溅射钛镀层与陶瓷界面的X射线光电子能谱研究

1.
武汉工业大学材料复合新技术国家重点实验室, 武汉 430070;
2.
中国科学院武汉物理所, 武汉 430071

基金项目: 国家自然科学基金

中图分类号: V261.934;TG115
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- 文章访问数: 699
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- 被引次数: 0
出版历程
- 收稿日期: 1996-01-25
- 修回日期: 1996-05-27
- 刊出日期: 1997-06-01

XPS STUDY ON THE INTERFACIAL STRUCTURE OF RF MAGNETRON SPUTTERED TITANIUM COATINGS AND CERAMICS

1.
Wuhan University of Technology, Wuhan 430070;
2.
Wuhan Institute of Physics, Chinese Academy of Science, Wuhan 430071

摘要: 本文采用XPS配合Ar⁺离子原位刻蚀研究了用射频磁控溅射法制备Ti/Al₂O₃(0001),Ti/Al₂O₃(多晶)和Ti/MgO(001)体系的界面结构。结果表明,在Ti/Al₂O₃体系的界面处存在Al3+的还原态和Ti的氧化态,且在刻蚀过程中,Al³⁺的还原态出现在Ti的氧化态之前。用相同方法制备的Ti/MgO界面没有产生类似的界面反应。
- 钛镀层 /
- 氧化铝 /
- 氧化镁 /
- X射线光电子能谱
Abstract: The inter facial structure of Ti/single-cry stal Al₂O₃( 0001), Ti/poly crystalline Al₂O₃, and Ti/single-crystal MgO( 001) system made by RF magnetron sputtering was investigated by using XPS combining with Ar⁺ ion insituetching in this paper. The results show that the reduction of Al³⁺ and oxidation of tit aniumexist at the interface of Ti/Al₂O₃ systems. Moreover, the reduced Alappears before the oxided Tiat the interface of Ti/Al₂O₃ in the etching process. Nosimilar interfacial reaction was observed at the interface of Ti/MgO system by the same making method.
- titanium coating, alumina, magnesia, X-ray photoelectron spectroscopy /

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