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ICVI法制备Si3N4P/ Si3N4 复合材料致密化行为数值模拟

胡卓沛 成来飞 魏玺 赵春年 刘谊

胡卓沛, 成来飞, 魏玺, 等. ICVI法制备Si3N4P/ Si3N4 复合材料致密化行为数值模拟[J]. 复合材料学报, 2006, 23(5): 111-115.
引用本文: 胡卓沛, 成来飞, 魏玺, 等. ICVI法制备Si3N4P/ Si3N4 复合材料致密化行为数值模拟[J]. 复合材料学报, 2006, 23(5): 111-115.
HU Zhuo-pei, CHENG Lai-fei, WEI Xi, et al. Numerical simulation for ICVI process of Si3N4P/ Si3N4 composites[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2006, 23(5): 111-115.
Citation: HU Zhuo-pei, CHENG Lai-fei, WEI Xi, et al. Numerical simulation for ICVI process of Si3N4P/ Si3N4 composites[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2006, 23(5): 111-115.

ICVI法制备Si3N4P/ Si3N4 复合材料致密化行为数值模拟

基金项目: 国家自然科学基金重大计划重点项目(90405015)
详细信息
    通讯作者:

    成来飞, 教授, 博士生导师, 主要从事陶瓷基复合材料的研究 E-mail : lfcheng @nwpu. edu. cn

  • 中图分类号: TB332

Numerical simulation for ICVI process of Si3N4P/ Si3N4 composites

  • 摘要: 根据Si3N4 颗粒增强体的结构特点及等温化学气相法( ICVI) 的工艺特点, 对Si3N4 颗粒增强Si3N4 复合材料的致密化过程进行了数值模拟。用球形孔隙模型表征Si3N4 颗粒增强体的结构特征, 用传质连续方程表征先驱体在预制体中的浓度分布。为了检验模型的准确性和适用性, 进行了相应的实验验证。模拟结果与实验结果具有相似的致密化规律, 预测的渗透时间和孔隙率与实验结果均十分接近, 表明本文中建立的数学模型可以较好地表征Si3N4P / Si3N4 复合材料的ICVI 过程。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2005-10-09
  • 修回日期:  2006-03-17
  • 刊出日期:  2006-10-15

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