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陶瓷型铁电复合物厚片介电系数的电场依赖性

张兴元 陈王丽华 蔡忠龙

张兴元, 陈王丽华, 蔡忠龙. 陶瓷型铁电复合物厚片介电系数的电场依赖性[J]. 复合材料学报, 2000, 17(3): 63-68.
引用本文: 张兴元, 陈王丽华, 蔡忠龙. 陶瓷型铁电复合物厚片介电系数的电场依赖性[J]. 复合材料学报, 2000, 17(3): 63-68.
ZHANG Xing-yuan, CHAN WONG Lai-wah, CHOY Chung-loong. DEPENDENCE OF DIELECTRIC PERMITTIVITY ON ELECTRIC FIELD FOR THICK CERAMIC-TYPE FERROELECTRIC COMPOSITE FILMS[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2000, 17(3): 63-68.
Citation: ZHANG Xing-yuan, CHAN WONG Lai-wah, CHOY Chung-loong. DEPENDENCE OF DIELECTRIC PERMITTIVITY ON ELECTRIC FIELD FOR THICK CERAMIC-TYPE FERROELECTRIC COMPOSITE FILMS[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2000, 17(3): 63-68.

陶瓷型铁电复合物厚片介电系数的电场依赖性

基金项目: 国家自然科学基金资助项目(29573123) ; 香港RGC 和香港理工大学资助项目
详细信息
    作者简介:

    张兴元(1955)| 男, 理学博士, 教授, 主要从事铁电聚合物结构与性能等方面的研究。

  • 中图分类号: TB 333; TM 22

DEPENDENCE OF DIELECTRIC PERMITTIVITY ON ELECTRIC FIELD FOR THICK CERAMIC-TYPE FERROELECTRIC COMPOSITE FILMS

  • 摘要: 建立起高压介电测试装置和相应的数据处理方法。研究了PZT/P (VDF-T rFE) 和PT/P (VDF- rFE) 0-3型铁电复合物厚片介电系数的电场依赖性。对于陶瓷体积分数U> 0.3 的复合物, 介电系数随测试场强的升高明显增大。在U< 0.1 时, 可用M axw ell-Garnet t 方程拟合试验结果。B ruggeman 方程适合于低电场(< 1MV/m ) 下复合物介电系数的预测。通过L z 的变化, 用Yamada 模型可拟合复合物介电系数随电场变化的关系, 说明L z 是由复合物的组分维数、粒子形状以及粒子间静电相互作用所决定的参数。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  1998-10-15
  • 修回日期:  1999-03-22
  • 刊出日期:  2000-09-25

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