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SiC晶须对反应合成多孔TiB2-TiC复合材料的影响

张艳凤 崔洪芝 宋晓杰 张珊珊 魏娜 王珂

张艳凤, 崔洪芝, 宋晓杰, 等. SiC晶须对反应合成多孔TiB2-TiC复合材料的影响[J]. 复合材料学报, 2016, 33(4): 833-840. doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20150715.001
引用本文: 张艳凤, 崔洪芝, 宋晓杰, 等. SiC晶须对反应合成多孔TiB2-TiC复合材料的影响[J]. 复合材料学报, 2016, 33(4): 833-840. doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20150715.001
ZHANG Yanfeng, CUI Hongzhi, SONG Xiaojie, et al. Effects of SiC whiskers on TiB2-TiC porous composites by reaction synthesis[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2016, 33(4): 833-840. doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20150715.001
Citation: ZHANG Yanfeng, CUI Hongzhi, SONG Xiaojie, et al. Effects of SiC whiskers on TiB2-TiC porous composites by reaction synthesis[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2016, 33(4): 833-840. doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20150715.001

SiC晶须对反应合成多孔TiB2-TiC复合材料的影响

doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20150715.001
基金项目: 国家自然科学基金(51272141);国家"863"计划(2015AA034404);山东省泰山学者计划(TS20110828)
详细信息
    通讯作者:

    崔洪芝,博士,教授,研究方向为等离子表面改性、金属间化合物材料。E-mail:cuihongzhi1965@163.com

  • 中图分类号: TB332

Effects of SiC whiskers on TiB2-TiC porous composites by reaction synthesis

  • 摘要: 以Ti、B4C和SiC晶须(SiCw)为原料,采用自蔓延高温合成法制备了多孔TiB2-TiC复合材料。讨论了SiCw含量对TiB2-TiC复合材料物相、组织形貌、孔隙率和抗压强度的影响。结果表明:不添加SiCw时,复合材料中主要物相为贫硼相TiB和Ti3B4以及TiC和少量TiB2;在5Ti+B4C体系中加入SiCw后,贫硼相TiB和Ti3B4逐渐减少直至消失,而出现富硼相TiB2和TiC的含量增加。随着SiCw含量的增加,复合材料的孔隙率逐渐增加,由38.46%增加至52.78%。当SiCw含量小于1.0时,随着SiCw含量的增加,多孔TiB2-TiC复合材料的抗压强度明显增加,当SiCw含量为1.0时,复合材料的抗压强度达到最大值56.04 MPa。Ti与SiCw反应会生成TiC、Ti3SiC2和TiSi2等物相,消耗一定量的Ti,使得与B4C反应的Ti量减少,从而促进富硼相TiB2形成和TiC的增多。并且在SiCw表面形成颗粒状TiC或者层片状Ti3SiC2,增加SiCw与TiB2-TiC基体之间的结合,更有利于发挥SiCw的强化作用。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2015-05-15
  • 修回日期:  2015-07-02
  • 刊出日期:  2016-04-15

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