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Si3N4原位增强Cu基复合材料的制备

徐玉松 李鹏 靳翠平

徐玉松, 李鹏, 靳翠平. Si3N4原位增强Cu基复合材料的制备[J]. 复合材料学报, 2015, 32(2): 458-464. doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20140418.001
引用本文: 徐玉松, 李鹏, 靳翠平. Si3N4原位增强Cu基复合材料的制备[J]. 复合材料学报, 2015, 32(2): 458-464. doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20140418.001
XU Yusong, LI Peng, JIN Cuiping. Preparation of Si3N4 in-situ reinforced Cu matrix composites[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2015, 32(2): 458-464. doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20140418.001
Citation: XU Yusong, LI Peng, JIN Cuiping. Preparation of Si3N4 in-situ reinforced Cu matrix composites[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2015, 32(2): 458-464. doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20140418.001

Si3N4原位增强Cu基复合材料的制备

doi: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20140418.001
详细信息
    通讯作者:

    徐玉松,教授,硕士生导师,研究方向为金属基复合材料及特种铸造工艺.E-mail:xys7251@163.com

  • 中图分类号: TB331

Preparation of Si3N4 in-situ reinforced Cu matrix composites

  • 摘要: 采用感应炉熔炼及水雾化工艺制得了Cu-Si合金粉末, 经N2、 H2混合气体选择氮化和真空放电等离子烧结(SPS)成型, 制备得到了Si3N4原位增强Cu基复合材料(Si3N4/Cu), 利用萃取法研究了选择性氮化产物及其晶体结构。结果表明: 复合粉末中N含量随氮化温度的升高和氮化时间的延长而增大。在1 000 ℃下氮化, 持续时间大于60 h时, 粉末中的N含量明显提高;Cu的衍射峰出现整体向大角度方向的明显偏移, 同时晶格常数变小, 表明Si从Cu基体中脱溶, 与N反应生成Si3N4; Si3N4/Cu复合材料的增强体以β-Si3N4为主;随着氮化温度的升高和氮化时间的延长, Si3N4/Cu复合材料的电导率和硬度逐步提高。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2014-01-02
  • 修回日期:  2014-04-03
  • 刊出日期:  2015-04-15

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