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具有大驱动位移的复合结构型PZT压电陶瓷

沈星 冯伟 李仁

沈星, 冯伟, 李仁. 具有大驱动位移的复合结构型PZT压电陶瓷[J]. 复合材料学报, 2005, 22(6): 44-48.
引用本文: 沈星, 冯伟, 李仁. 具有大驱动位移的复合结构型PZT压电陶瓷[J]. 复合材料学报, 2005, 22(6): 44-48.
SHEN Xing, FENG Wei, LEE In. LARGE-DISPLACEMENT PZT PIEZOELECTRICS WITH COMPOSITE STRUCTURE[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2005, 22(6): 44-48.
Citation: SHEN Xing, FENG Wei, LEE In. LARGE-DISPLACEMENT PZT PIEZOELECTRICS WITH COMPOSITE STRUCTURE[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2005, 22(6): 44-48.

具有大驱动位移的复合结构型PZT压电陶瓷

基金项目: 航空科学基金 (04G52042) ;国家自然科学基金 ( 50135030 ) ;武器装备预研基金 ( 51412010505HK0208)
详细信息
  • 中图分类号: TB332

LARGE-DISPLACEMENT PZT PIEZOELECTRICS WITH COMPOSITE STRUCTURE

  • 摘要: 采用PZT作为基体材料,通过化学还原的方法制备了具有大位移驱动能力的复合结构型压电陶瓷。研究了其预制应力的分布,探索了还原制备工艺,测试了驱动性能。结果表明,复合结构的优化设计方案是,还原层厚度比率为0.3;与普通压电陶瓷驱动器相比,复合结构型PZT压电陶瓷具有较低的谐振频率,驱动位移量提高3倍多;还原层相结构中存在二次氧化的基体相,表明其还原工艺仍需改进。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2004-12-22
  • 修回日期:  2005-03-21
  • 刊出日期:  2005-12-15

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