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CVD法制备B-C体系材料

杨文彬 张立同 成来飞 刘永胜 徐永东

杨文彬, 张立同, 成来飞, 等. CVD法制备B-C体系材料[J]. 复合材料学报, 2007, 24(5): 103-108.
引用本文: 杨文彬, 张立同, 成来飞, 等. CVD法制备B-C体系材料[J]. 复合材料学报, 2007, 24(5): 103-108.
YANG Wenbin, ZHANG Litong, CHENG Laifei, et al. Preparation of B-C system materials by CVD[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2007, 24(5): 103-108.
Citation: YANG Wenbin, ZHANG Litong, CHENG Laifei, et al. Preparation of B-C system materials by CVD[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 2007, 24(5): 103-108.

CVD法制备B-C体系材料

基金项目: 国家自然科学基金(重点基金90405015); 国家杰出青年基金(50425208); 长江学者和创新团队发展计划
详细信息
    通讯作者:

    张立同, 教授, 中国工程院院士, 博士生导师, 主要从事新型陶瓷基复合材料设计制备与应用研究 E-mail: Zhanglt@nwpu.edu.cn

  • 中图分类号: TB332; TQ174.758.2

Preparation of B-C system materials by CVD

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    Corresponding author: ZHANG Litong
  • 摘要: 以BCl3-C3H6-H2为反应体系, 采用化学气相沉积法(CVD)在炭纤维束上制备了B-C体系材料, 研究了沉积温度的影响。利用SEM和XPS对BC<em>x层的微结构、 元素含量和化学结构进行表征, 并结合化学反应过程, 探讨了导致沉积产物形貌、 成分和键结合状态的差异原因。结果表明, 沉积温度对B-C层生长速率和断面形貌均有较大影响: 900℃沉积时, 沉积较慢, 断面平整; 1000℃时, 沉积速度加快, 断面呈显著片层状结构; B-C层内B元素原子含量随沉积温度升高而降低; 沉积产物内B元素键结合状态有: B4C、 B替代C、 BC2O、 BCO2和B2O3。沉积温度不仅影响B元素键结合状态, 而且还影响各结合状态的含量。B4C在900℃时含量为0, 在1000℃时达到最大值32.5at%; B替代C在900℃时含量最高, 然后随温度升高而下降, 在1050℃时其含量又有所升高。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2006-12-22
  • 修回日期:  2007-04-16
  • 刊出日期:  2007-10-15

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