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硅烷偶联剂/二氧化硅界面层的表征研究

华仲强 林永渭 吴叙勤 张元民

华仲强, 林永渭, 吴叙勤, 等. 硅烷偶联剂/二氧化硅界面层的表征研究[J]. 复合材料学报, 1988, 5(3): 47-Ⅴ.
引用本文: 华仲强, 林永渭, 吴叙勤, 等. 硅烷偶联剂/二氧化硅界面层的表征研究[J]. 复合材料学报, 1988, 5(3): 47-Ⅴ.
Hua Zhungqiang, Lin Yongwei, Wu Xuqing, et al. A STUDY OF THE CHARACTERISTICS OF SILANE/MODEL SiO2 INTERFACE[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 1988, 5(3): 47-Ⅴ.
Citation: Hua Zhungqiang, Lin Yongwei, Wu Xuqing, et al. A STUDY OF THE CHARACTERISTICS OF SILANE/MODEL SiO2 INTERFACE[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 1988, 5(3): 47-Ⅴ.

硅烷偶联剂/二氧化硅界面层的表征研究

A STUDY OF THE CHARACTERISTICS OF SILANE/MODEL SiO2 INTERFACE

  • 摘要: 本文为研究γ-MPS/SiO2界面层厚度与形态,使用自编程序,通过计算机数值模拟和图形分析后确定:当SiO2膜厚为1250~1450Å,激光源入射角为65~75°的最佳椭偏仪测定条件时,灵敏度可提高至1Å,从而能在国产椭偏仪上对10Å左右的界面超薄层膜具有足够的测试灵敏度。实验中应用的SiO2/Si平片是一种新的适宜于作界面研究的玻纤模型。由此模型凭借椭偏仪和扫描电镜,可获得经γ-MPS水溶液处理再经溶剂淋洗后形成的γ-MPS/SiO2界面层的重要信息:界面层结构是1~2个单分子层;形态为连续的膜层,偶尔可见被淋洗去的γ-MPS水解介聚物残留的边缘隆起的椭圆形凹坑。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  1987-09-07
  • 刊出日期:  1988-09-01

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