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纯镁对碳化硼颗粒的常压浸渗

郝元恺 赵恂 杨盛良 杨广平

郝元恺, 赵恂, 杨盛良, 等. 纯镁对碳化硼颗粒的常压浸渗[J]. 复合材料学报, 1995, 12(3): 12-16.
引用本文: 郝元恺, 赵恂, 杨盛良, 等. 纯镁对碳化硼颗粒的常压浸渗[J]. 复合材料学报, 1995, 12(3): 12-16.
Hao Yuankai, Zhao Xun, Yang Shengliang, et al. INVESTIGATION OF NORMAL PRESSUE INFILTRATION OF PURE MAGNESIUM INTO BORON CARBIDE PARTICLE[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 1995, 12(3): 12-16.
Citation: Hao Yuankai, Zhao Xun, Yang Shengliang, et al. INVESTIGATION OF NORMAL PRESSUE INFILTRATION OF PURE MAGNESIUM INTO BORON CARBIDE PARTICLE[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 1995, 12(3): 12-16.

纯镁对碳化硼颗粒的常压浸渗

INVESTIGATION OF NORMAL PRESSUE INFILTRATION OF PURE MAGNESIUM INTO BORON CARBIDE PARTICLE

  • 摘要: 本文研究了纯镁对不同致密度的碳化硼(B4C)颗粒基片的常压浸渗性;讨论了镁液对B4C颗粒聚集体常压浸渗的影响因素;提出了浸渗模型。研究表明,纯镁在氩气保护下,800~850℃温度范围保温30min即可浸渗B4C颗粒聚集体。浸渗深度和宽度随加热温度升高和保温时间延长而增加;常压浸渗的B4CP/Mg复合材料具有很高的硬度,B4C颗粒在基体中分布较均匀。

     

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出版历程
  • 收稿日期:  1993-11-28
  • 修回日期:  1994-03-26
  • 刊出日期:  1995-09-01

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