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α-Si3N4晶须中缺陷与晶须生长气氛关系的研究

吴华武 徐功骅 尉京志 来月英 张克宏

吴华武, 徐功骅, 尉京志, 等. α-Si3N4晶须中缺陷与晶须生长气氛关系的研究[J]. 复合材料学报, 1996, 13(2): 60-64.
引用本文: 吴华武, 徐功骅, 尉京志, 等. α-Si3N4晶须中缺陷与晶须生长气氛关系的研究[J]. 复合材料学报, 1996, 13(2): 60-64.
Wu Huawu, Xu Gonghua, Wei Jingzhi, et al. RELATIONSHIP BETWEEN THE DEFECTS OF ALPHA-SILICON NITRIDE WHISKERS AND GROWTH ATMOSPHERE[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 1996, 13(2): 60-64.
Citation: Wu Huawu, Xu Gonghua, Wei Jingzhi, et al. RELATIONSHIP BETWEEN THE DEFECTS OF ALPHA-SILICON NITRIDE WHISKERS AND GROWTH ATMOSPHERE[J]. Acta Materiae Compositae Sinica, 1996, 13(2): 60-64.

α-Si3N4晶须中缺陷与晶须生长气氛关系的研究

基金项目: 国家自然科学基金资助项目,批准号:59272078

RELATIONSHIP BETWEEN THE DEFECTS OF ALPHA-SILICON NITRIDE WHISKERS AND GROWTH ATMOSPHERE

  • 摘要: 本文研究了用无定形氮化硅超细粉原位生长α-Si3N4晶须,晶须生长温度为1400~1450℃,恒温1~4h.讨论了在晶须生长过程中,不同的保护气氛对晶须质量的影响.当晶须在高纯N2气氛中生长时,得到的晶须中氮含量为32%~34%,氧含量为8%~6%,氯含量为0.1%左右.这类晶须中存在着大量的缺陷.当晶须在NH3气氛中生长时,得到的晶须中氮含量为39%左右,氧含量为1%,氯含量为0.01%,在这类晶须的透射电镜照片中几乎看不到缺陷.

     

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出版历程
  • 收稿日期:  1995-05-23
  • 修回日期:  1994-12-26
  • 刊出日期:  1996-06-01

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